E-モビリティ・アプリケーションの進化に欠かせないGaN技術の重要な機能を発揮する300W DC-DCバッテリー・チャージャー・ボード

（ビジネスワイヤ） -- 堅牢な窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム (Nasdaq: TGAN)は、2輪および3輪の電気自動車用充電器向けに、新たに300W DC-to-DC GaNリファレンスデ�インをリリースすると発表しました。TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RDデ�インは、TP65H150G4PS 150 mOhm SuperGaN® FETを堅牢なTO-220パッケージで使用し、高性能、高効率の環境発電や配電バッテリー充電システムに電力を供給します。この新しいボードは、GaN電源回路の最も期待される価値提案の1つである双方向性を顕著に示しています。この機能は、1つの電源系統により、必要に応じて入力（AC）から出力（DC）、出力（DC）から入力（AC）の2方向に電力を供給できることを示し、GaNはどちらの変換においても高いエネルギー効率を可能にします。

「大電力アプリケーションにおけるGaNの最初の価値提案は、ブリッジレス・トーテムポール力率改善回路の高効率動作によって実現されました。その結果、30ワットから10キロワット以上まで、あらゆる電力変換スペクトルにわたって、電力系統が全体的に小型化・低コスト化するなど、さまざまなトポロジーにおいて次のレベルの恩恵がもたらされました」と、トランスフォームの社長兼最高経�責任者（CEO）であるPrimit Parikhは述べています。「大電力アプリケーションにおけるリーダーシップは引き�きトランスフォームGaNが担っています。今回、E-モビリティ用の車載充電器、再生可能エネルギー、バックアップ電源システム、そして高度に統合され、交換可能な入力端子と出力端子を必要とするその他の電源回路アプリケーションで使用できる双方向電力変換を実証しました。」

双方向性は、V2L（Vehicle-to-Load）、V2H（Vehicle-to-House）、V2G（Vehicle-to-Grid）シナリオで構成されるE-モビリティ・アプリケーション向けのV2X（Vehicle-to-Everything）インフラを推進するうえで不可欠な中核機能です。2030年までにV2Xシステム全体の市場規模は保守的に見積もって90億米ドル、強気に見積もって700億米ドルになると予測されています。

EVシステム、再生可能エネルギー・システム、およびV2Xモデル内のその他のアプリケーションでは、設計と性能の柔軟性が、イノベーションと幅広い展開に不可欠となります。高い電力密度と双方向性は、この分野における目標を実現するうえで重要となります。V2Xアプリケーションは、SuperGaN技術のあらゆる優れた価値提案を真に活用できる素晴らしいユースケースです。この新しいリファレンス・デ�インは、SuperGaN技術によってどんな未来が実現できるかを示すエキサイティングな例です。

TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RDのリファレンス・デ�イン仕様

TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RDボードは、パワーステージの複雑なファームウェア開発を必要としない完全アナログ実装となっています。この設計構成により、よりシンプルで迅速な電源システム開発が可能になります。

主な仕様は以下のとおりです。

トポロジー

フルブリッジLLC

対流冷却

強�冷却を伴わない自�対流

出力

300 W

出力電圧

48 V/6 A, 380 V/0.9 A

ピーク時の効率

97.3%

電力密度

36.5 W/in 3

対象アプリケーションと入手方法について

TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RDボードは、ソーラー、バッテリー、グリッド接�ソリューションによる環境発電アプリケーションで使用される双方向DC-to-ACインバーター電源のDC-to-DCパワーステージや、2輪、3輪、4輪のバッテリー充電器で使用されるAC-to-DC電源などの高電力密度アプリケーションに最適です。

デ�インガイドとBOMはこちらからダウンロードできます： https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tddcdc-tph-in-bi-llc-300w-rd/

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を�える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を�え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、 www.transphormusa.com でご覧いただくか、X（@transphormusa）およびWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

Press Contact: Heather Ailara +1.973.567.6040 heather.ailara@transphormusa.com

Grafico Azioni Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Storico
Da Mag 2024 a Giu 2024 Clicca qui per i Grafici di Transphorm
Grafico Azioni Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Storico
Da Giu 2023 a Giu 2024 Clicca qui per i Grafici di Transphorm